Rastertunnelspektroskopie

Rastertunnelspektroskopie (STS von engl. scanning tunneling spectroscopy) ist eine Weiterentwicklung des Rastertunnelmikroskops. Mit ihr lassen sich die lokalen (oberflächennahen) Zustandsdichten (LDOS) von Elektronen (bzw. Löchern, also fehlenden Elektronen) messen. Man verwendet ein Rastertunnelmikroskop, bei dem man, zusätzlich zu der bisherigen Gleichspannung, eine Wechselspannung an die Messspitze anlegt. Dann variiert man langsam die Gleichspannung, die die Spitze auf das Potential V bringt, und trägt dI/dV(x,y,V) auf, wobei dieses Durchfahren der Spannung an jedem Bildpunkt geschehen muss. English Version (mehr Details)

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Literatur:

• J. Tersoff and D. R. Hamann, Phys. Rev. B 31, 805 - 813 (1985)
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• Chr. Wittneven, R. Dombrowski, M. Morgenstern and R. Wiesendanger, Phys. Rev. Lett. 81, 5616 (1998)
• G. Binnig, H. Rohrer, Ch. Gerber, and E. Weibel, Phys. Rev. Lett. 50, 120 - 123 (1983)
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• G. Binnig, H. Rohrer, Ch. Gerber, and E. Weibel, Appl. Phys. Lett., Vol. 40, Issue 2, pp. 178-180 (1982).